10月16日，国家杰出基金获得者，我校“鉴湖学者”讲座教授、中山大学王成新教授来实验室做了题为《空位短程序材料的高比容储能机理研究》的报告，这次报告王教授主要介绍了二次电池储能领域，理论和实践研究表明：提高空位浓度能直接提高储能离子的容纳量、改善离子/电子传导，还能间接稳定晶体结构，缓解嵌/脱储能离子引起的体积膨胀，粉化等负效应；然而，有关空位局域富集、及其与储能离子的交互作用等研究尚属空白。我们近期发现：局域聚集（短程序构）的空位（功能基元），能显著降低储能离子嵌/脱和扩散、迁移等能垒，使常规非/低活性的储能材料表现出颠覆性的储能比容量。基于此，本项目拟结合理论和实验：首先，研究空位聚集的现象，揭示短程序构空位存在的条件、原因，及机制；然后，研究短程序构空位的储能过程，探讨多空位之间，空位与储能离子之间的交互作用，及其激活储能材料高比容储能的内涵和外延；最后，尝试将有关短程序构空位的相关理论和实验拓展至其它结构缺陷。本项目的研究将开辟基于空位短程序构的高比容储能新模式和方向，衍生一系列基于缺陷序构的新材料，为储能领域引入一种全新的高比容储能技术。
