缺陷态对材料电子结构的影响

      郝维昌，男，博士，北京航空航天大学长聘教授。

8月6日报告内容为：在纳米尺度范围下，材料的比表面大，表面失配和低配位原子必然存在。纳米材料表面缺陷类型十分丰富，包括表面原子失配、表面极化、表面非晶化、表面掺杂与杂质吸附、表面空位及复合空位等，这些缺陷对半导体材料的电子结构、光谱吸收及光生电子空穴的激发、迁移和复合的过程均有重要的影响。这些缺陷由于具有微区化，电子态密度极低特点，对于这些表面缺陷缺乏有效的研究手段，更谈不上有效控制。因此，目前纳米能源材料的研究与开发面临一个最大挑战便是如何有效的监测和控制材料的缺陷类型、缺陷浓度及分布。本次报告将介绍BiOX中的应力及空位、TiO₂中氧空位的形成及其对电子结构和性能的影响及规律，Fe₃GeTe₂中Fe空位对重费米子行为的影响。报告引起了广大师生的热烈反响。